外延技術(shù)

概要:

詳情

基本半導(dǎo)體生產(chǎn)150mm 碳化硅外延片，具有極佳的均勻性，外延厚度最高可達(dá)250μm。針對不同規(guī)格要求，我們提供一套完整的碳化硅材料外延解決方案。

? 針對帶緩沖層或無緩沖器的厚外延層，低摻雜層厚度可高達(dá)250μm。

? 包括PN結(jié)和不同摻雜水平的多層結(jié)構(gòu)。

? 在外延過程中嵌入或埋置指定結(jié)構(gòu)和接觸層。

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